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快恢复二极管和肖特基二极管的区别是什么?

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  • 发表于:2021-08-25 09:19 分享至:
      快恢复二极管和肖特基二极管的区别是什么?
           电子行业使用的快恢复二极管和肖特基二极管的客户很多,但真正能区分的却很少。作为一家拥有十余年的被动电子元器件销售企业,大家有义务为客户负责,让大家来和你简诉快恢复二极管和肖特基二极管的区别是什么。
     
      肖特基二极管是掺砷的N外延层。正电极(阻挡)金属材料是钼。二氧化硅用于消除边缘区域的电场,提高肖特基二极管的耐压。N型衬底的掺杂浓度比N-1层高100倍,具有非常小的通过电阻。衬底下的n阴极层用于降低阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可以在衬底和阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。
     
      肖特基二极管是一种低功耗、大电流、高速度的半导体器件。它的优点是切换速度非常快。反向恢复时间可以小到几纳秒(一般小于20nS)。因此适合在低电压大电流下工作,主机电源使用的输出整流二极管为肖特基二极管。
     
      快恢复二极管是近年来发展起来的一种新型半导体器件。开关特性好,反向恢复时间短(一般三类,fr: 75-500 ns,her: 35-75 ns,SF:35 ns以下),正电流大,体积小,安装方便。可用作高频大电流整流二极管或继电器二极管,已广泛应用于变频电机等电子设备如开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源系统(UPS)、高频加热、交流发电机等。它是一种很有前途的功率和电子半导体器件。
     
      快速恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间TRR,它被定义为正向和反向流经零点的电流之间的时间间隔,然后从反向流向规定的Irr。它是衡量高频导通整流器件性能的重要技术参数。它的内部结构不同于普通二极管。在p型和n型硅材料之间增加基区I,形成PIN硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅TRR值大大降低,而且瞬态正向压降也降低,使二极管能够承受更高的反向工作电压。
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